IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等 。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。
【IGBT的主要材料有哪些】GTR饱和压降低，载流密度大 ， 但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小 ， 开关速度快 ， 但导通压降大，载流密度小 。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低 。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。
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